SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 개발…온디바이스 AI 메모리 성능·전력 효율 혁신

데이터 속도 33%↑ 전력 20%↓

 

[더테크 서명수 기자]  SK하이닉스가 차세대 모바일 메모리 시장을 겨냥한 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 LPDDR6 D램 개발에 성공했다. 온디바이스 AI 시대에 최적화된 메모리 성능과 전력 효율을 동시에 확보하며 모바일 AI 기기 경쟁력 강화에 나선다는 전략이다.

 

SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램 개발을 완료했다고 10일 밝혔다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 탑재되는 저전력 D램 규격으로, 저전압 동작을 통해 전력 소모를 최소화하도록 설계된 것이 특징이다. 최신 규격은 LPDDR6이며, LPDDR1부터 LPDDR5X까지 진화해 온 모바일 메모리 기술의 차세대 표준으로 평가된다.

 

회사는 올해 1월 CES에서 해당 제품을 공개한 이후 최근 세계 최초로 1c 공정 기반 LPDDR6 제품 개발 인증을 완료했다. SK하이닉스는 상반기 내 양산 준비를 마치고 하반기부터 본격적인 공급을 시작해 AI 구현에 최적화된 범용 메모리 포트폴리오를 구축할 계획이다.

 

이번에 개발된 1c LPDDR6는 온디바이스 AI 환경에 맞춰 데이터 처리 성능과 전력 효율을 대폭 개선한 것이 핵심이다. 온디바이스 AI는 서버를 거치지 않고 스마트폰이나 태블릿 등 기기 자체에서 AI 연산을 수행하는 기술로, 빠른 응답성과 개인화된 AI 서비스 구현에 중요한 역할을 한다.

 

SK하이닉스는 이번 제품에서 대역폭 확장 기술을 적용해 데이터 처리 속도를 이전 세대인 LPDDR5X 대비 33% 향상시켰다. 동작 속도는 기본 10.7Gbps(초당 10.7기가비트) 이상으로, 기존 모바일 메모리 제품의 최대 속도를 넘어서는 수준이다. 이를 통해 고성능 모바일 AI 연산과 멀티태스킹 환경에서도 안정적인 데이터 처리 성능을 제공한다.

 

전력 효율 역시 크게 개선됐다. SK하이닉스는 서브 채널 구조와 DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling) 기술을 적용해 전력 소비를 기존 제품 대비 20% 이상 절감했다. 서브 채널 구조는 필요한 데이터 경로만 선택적으로 활성화해 불필요한 전력 소모를 줄이는 구조이며, DVFS 기술은 칩의 동작 상황에 따라 전압과 주파수를 조절해 성능과 전력 효율을 동시에 최적화하는 전력 관리 기술이다.

 

예를 들어 고사양 모바일 게임이나 AI 연산이 필요한 상황에서는 주파수를 높여 최대 대역폭을 확보하고, 일반 사용 환경에서는 전압과 주파수를 낮춰 배터리 소비를 최소화하도록 설계됐다. 이를 통해 사용자들은 이전보다 길어진 배터리 사용 시간과 향상된 모바일 멀티태스킹 성능을 경험할 수 있을 것으로 기대된다.

 

SK하이닉스는 글로벌 모바일 제조사의 기술 요구에 맞춰 차세대 모바일 AI 기기에 최적화된 메모리 솔루션 공급을 확대할 계획이다.

 

회사 관계자는 “앞으로도 고객과 협력해 AI 메모리 솔루션을 적시에 공급하고 온디바이스 AI 사용자에게 차별화된 기술 가치를 제공하겠다”고 밝혔다.

 



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