[더테크=조재호 기자] 국내 연구진이 차세대 인터페이스 기술이 활성화된 고용량·고성능 AI 가속기를 개발했다. 대규모 AI 시스템 구축 비용을 감소시킬 수 있을 것으로 예상된다. 카이스트는 8일 정명수 전기및전자공학부 교수 연구팀이 차세대 인터페이스 기술인 CXL(Compute Express Link)이 활성화된 고용량 GPU의 메모리 읽기·쓰기 성능을 최적화하는 기술을 개발했다고 밝혔다. 일반적으로 AI 개발에 활용되는 GPU의 메모리 용량은 수십 기가바이트(GB)에 불과해 단일 GPU만으로는 모델을 추론·학습하는 것은 불가능하다. 대규모 AI 모델에 필요한 메모리를 확보하기 위해서 GPU 여러 대를 연결하는 방법을 선택하는데 이 방법은 GPU 가격으로 인해 총소유비용(TCO·Total Cost of Ownership)을 과하게 높아진다. 이에 차세대 연결 기술인 CXL을 활용해 대용량 메모리를 GPU에 직접 연결하는 CXL-GPU 구조가 다양한 산업계에서 검토되고 있다. 다만 고용량이라는 특징만으로 AI 서비스에 활용되기 어렵다. 대규모 AI 서비스는 용량만큼이나 GPU에 직접 연결된 메모리 준하는 성능이 나올 때 실제 서비스에 활용될 수 있다. 연구진은
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 일반 소비자용 PCle 5.0 규격의 SSD 개발하고 연내 양산 및 제품이 출시를 예고했다. SK하이닉스는 28일 온디바이스 AI PC에 활용될 업계 최고 성능의 SSD(Solid State Drive) 제품인 ‘PCB01’ 개발을 완료했다고 28일 밝혔다. SK하이닉스는 “당사는 PCB01에 처음으로 8채널(Ch.) PCle 5세대 규격을 적용해 데이터 처리 속도를 비롯한 성능을 획기적으로 높였다”며 “HBM을 대표하는 초고성능 D램에 이어 낸드 솔루션에서도 최고 수준의 제품 개발에 성공하며 AI 메모리 분야 리더십을 확고히 하고 있다”고 강조했다. 회사는 글로벌 PC 고객사와 함께 신제품에 대한 인증 작업을 진행 중이며 인증이 마무리되는 대로 연내 양산에 들어가 대형 고객사와 일반 소비자용 제품을 함께 출시할 예정이다. PCB01의 연속 읽기와 쓰기 속도는 각각 초당 14GB, 12GB로 PC용 SSD 제품 중 업계 최고의 성능이 구현됐다. 이는 AI 학습과 추론이 필요한 거대언어모델(LLM)을 1초 내에 구동하는 수준의 속도다. PCB01은 전력 효율이 이전 세대 대비 30% 이상 개선돼 대규모 AI 연산 작업의 안
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다. 삼성전자는 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’을 개최했다. 이번 행사는 ‘Empowering the AI Revolution’를 주제로 고객의 인공지능(AI) 아이디어를 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술과 함께 메모리와 어드밴스드 패키지 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 삼성만의 차별화 전략을 제시했다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장은 “AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 하는 고성능·저전력 반도체”라며 “삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA 공정 기술과 저전력으로 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다. 이번 파운드리 포럼은 미국 실리콘밸리 새너제이에 위치한 삼성전자 DS부문 미주총괄 사옥에서 진행됐고 르네 하스 Arm CEO와 조나단 로스 Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했다. 참석자들은 삼성전자의 기술과 사업 현황을 비롯해 파트너사가 마련한 부스를 통해
[더테크=조재호 기자] 삼성전자의 HBM이 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 납품 테스트를 통과하지 못했다는 보도가 전해졌다. 삼성전자는 이에 “테스트는 순조롭게 진행되고 있다”고 반박했다. 로이터는 24일 세 명의 소식통을 인용해 삼성전자가 최신 고대역폭 메모리인 HBM3E가 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 테스트를 통과하지 못했다고 보도했다. 로이터가 인용한 소식통들은 삼성전자가 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하기 위해 노력해왔다고 언급했다. 하지만 8단, 12단 HBM3E 칩에 대해 테스트가 실패했다는 결과를 지난 4월 통보받았다고 전했다. 앞서 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 CEO는 엔비디아의 연례 개발자 컨퍼런스인 GTC 2024에서 삼성전자의 부스를 찾아 12단 HBM3E 제품에 ‘JENSEN APPROVED(젠슨 승인)’이라는 사인을 남기며 긍정적인 메시지를 남겼지만 상반된 결과다. HBM은 메모리 반도체로 일반적으로 잘 알려진 D램을 수직으로 쌓아 올려 크기와 전력 소비를 줄이고 실리콘 관통 전극(TSV)을 뚫어 속도를 획기적으로 개선한 제품이다. 인공지능(AI)을 개발하기 위해서는 다수의 GPU(그래픽 처리
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 차세대 휴대용 기기 특화 플래시 메모리 개발을 완료하고 올 3분기부터 양산에 들어갈 예정이다. SK하이닉스는 9일 온디바이스 AI용 모바일 낸드 솔루션 제품인 ZUFS 4.0 개발에 성공했다고 밝혔다. ZUFS(Zoned Universal Flash Storage)는 디지털 카메라나 휴대전화 등 전자제품에 탑재되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율을 향상한 제품으로 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장 장치간 데이터 전송을 최적화한 제품이다. SK하이닉스는 “ZUFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는데 최적화된 메모리로 업계 최고 성능이 구현됐다”며 “당사는 HBM에 이어 낸드에서도 AI 메모리 시장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. ZUFS는 스마트폰에서 생성되는 데이터를 특성에 따라 관리한다. 기존 UFS와 달리 여러 데이터를 용도와 사용 빈도 등에 따라 다른 공간에 저장해 스마트폰 OS의 작동 속도와 저장장치의 관리 효율성을 높여준다. 이를 통해 장시간 사용환경에서 스마트폰 앱 실행 시간을 기존 대비 45% 향상하고 저장장치의
[더테크=이지영 기자] 어플라이드 머티리얼즈가 오는 12일부터 15일까지 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 ‘국제 메모리 워크숍 2024(IEEE International Memory Workshop 2024, 이하 IMW)’에서 메모리 칩의 공정 장비와 기술 발전에 대해 소개한다. IMW는 IEEE 전자소재협회가 주최하는 메모리 기술 관련 연례 국제 학회로 전세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다. 올해로 16횔르 맞이했으며 한국에서는 두 번째로 개최된다. 어플라이드는 이번 워크숍에서 △GAA S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 △메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 Si 채널의 시연 △자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 △고대역폭 메모리를 위한 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 4건의 논문 발표를 진행한다. 아울러 ‘메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료’의 패널 토론에도 참여한다. 어플라이드는 10년 이상 IMW를 후원해왔으며 올해 행사에는 프리미어 스폰서로 참여한다.
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 회사는 향후 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 글로벌 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 계획이다. SK하이닉스는 경기도 이천 본사에서 AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략을 주제로 한 기자간담회를 2일 진행했다. 간담회는 곽노정 사장의 오프닝 발표를 시작으로 김주선 사장의 AI 메모리 비전, 최우진 부사장의 SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진, 김영식 부사장의 청주 M15x와 용인 클러스터 투자 등 3개 발표 세션으로 진행됐다. 곽 사장은 간담회를 통해 AI 시대를 맞아 SK하이닉스의 전략을 언급하며 현재 AI가 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 것이라고 전했다. 이에 따라 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 기술 리더십을 확보할 방침이다. 현재 SK하이닉스 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃인데 내년 역시 거
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 올해 1분기 사상 최대 매출을 기록했다. HBM 등 AI 메모리 호조와 함께 eSSD 판매 확대 및 제품가 상승으로 낸드 부문도 흑자 전환에 성공했다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고 올해 1분기 매출 12조4296억원, 영업이익 2조8860억원, 순이익1조9170억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 영업이익률은 23%, 순이익률은 15%다. 이번 매출은 회사의 1분기 실적 중 최대이며 영업이익도 지난 2018년 이후 두 번째로 높은 수치를 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속된 다운턴에 벗어나 완연한 실적 반등 추세를 보이는 것으로 전망했다. 아울러 회사 관계자는 “HBM 등 AI 메모리 기술력을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량이 늘어나고 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다”며 “낸드도 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고 평균판매단가가 상승해 흑자 전환에 성공했다”고 밝혔다. SK하이닉스는 향후 AI 메모리 수요가 지속해서 늘어나고 하반기부터 일반 D램 수요도 회복하면서 메모리 시장이 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 회사는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 23일 업계 최초로 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 삼성전자는 이번 V낸드 메모리에 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 9세대 V낸드는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 면적을 줄였는데, 크기가 줄어들면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 진행해 생산성도 개선됐다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 쌓아 한번에 홀을 만드는 기술을 말한다. 적층 단수가 많아 한번에 많이 뚫을수록 생산효율이 증가하지만 정교화·고도화가 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 PCIe 5.0 인터페이스 지원해 고
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 19일 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서를 체결했다. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4를 개발한다는 계획이다. 이번 협력에 대해 SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지 최하단의 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선을 진행한다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 담품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어한다. SK하이닉스는 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력
[더테크=조재호 기자] 두산이 메모리·시스템 반도체, 5G 통신, 스마트 디바이스 등 다양한 제품에 적용할 수 있는 하이엔드 동박적층판(CCL) 라인업을 선보이며 북미시장에서 적극적인 마케팅에 나선다. 두산은 미국 캘리포니아 애너하임 컨벤션센터에서 9일(현지시간)부터 11일까지 진행되는 ‘IPC APEX EXPO 2024’에 참가한다고 9일 밝혔다. IPC APEX EXPO 2024는 북미 최대 규모 인쇄회로기판(PCB) 및 반도체 패키징 기판 전시회이다. 올해는 레조낙, EMC, TUC 등 CCL을 제조하는 글로벌 경쟁사를 비롯해 한화정밀기계 등 430여 기업이 참가한다. 이번 전시회에서 두산은 △메모리·시스템 반도체 패키지용 CCL △통신네트워크용 CCL △스마트 디바이스용 연성동박적층판(FCCL) 등의 다양한 하이엔드 CCL 제품을 선보인다. 반도체 패키지용 CCL은 칩과 메인보드를 전기적으로 접속해 반도체를 보호하는 소재로 DRAM, Nand 등 메모리 반도체용과 CPU, GPU, AP 등 시스템 반도체용으로 구분된다. 전기신호를 빠르고 정확하게 전달하고 고온의 반도체 공정을 견딜 만큼 강도가 높다. 통신네트워크용 CCL은 데이터센터에 적용되는 제품으
[더테크=전수연 기자] 국내 연구진이 공정 비용은 낮고 초저전력 동작이 가능해 기존 메모리를 대체하거나 차세대 AI 하드웨어를 위한 ‘뉴로모픽 컴퓨팅(Neuromorphic Computing)’ 구현에 사용될 메모리 소자를 개발했다. KAIST는 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 디램(DRAM), 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 수 있는 ‘초저전력 차세대 상변화 메모리 소자(Phase Change Memory, 열을 사용해 물질의 상태를 비정질과 결정질로 변경하고 이를 통해 저항 상태를 변경하면서 정보를 저장·처리하는 메모리 소자)를 개발했다고 4일 밝혔다. 기존 상변화 메모리는 값비싼 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작하며 소모 전력이 높은 문제점이 있었다. 최 교수 연구팀은 상변화 물질을 전기로 국소 형성하는 방식을 통해 제작한 초저전력 상변화 메모리 소자로 노광공정 없이 매우 작은 나노미터 스케일의 상변화 필라멘트를 자체 형성했다. 이는 공정 비용이 매우 낮을 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다는 장점이 있다. 현재 사용되고 있는 메모리인 디램은 속도가 매우 빠르지만 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있으며 저장장치로 사용되는
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