SK하이닉스, 모바일용 D램 LPDDR5T 퀄컴 검증 완료

현존 모바일 D램 최고속도 9.6Gps 구현한 LPDDR5T 상용화
퀄컴 스냅드래곤8 3세대 호환성 검증으로 다양한 AP 활용 기대

 

[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 7세대 모바일용 D램 최고속도를 경신한 제품의 성능 검증을 마치고 상용화에 나섰다. 생성형 AI의 소형·경량화 추세에 따라 스마트폰에서도 활용이 기대되는 시점. 플래그십 스마트폰 AP에 하이닉스 D램이 채택될 것으로 기대된다.

 

SK하이닉스는 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(기가비트)를 구현한 LPDDR5T가 미국 퀄컴의 최신 AP인 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.

 

LPDDR5T는 SK하이닉스가 이전 7세대 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다. 회사는 지난 1월 LPDDR5T 개발을 완료하고 협력 파트너사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해왔다.

 

이번 검증 완료에 SK하이닉스는 글로벌 유력 통신칩 제조사인 퀄컴을 비롯해 주요 모바일 AP 기업에 검증을 마친 만큼 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위가 급속히 넓어질 것으로 봤다.

 

SK하이닉스 관계자는 더테크에 “LPDDR5T는 글로벌 고객사의 초고성능 모바일 D램 니즈를 충족시킨다는 점을 확인할 수 있었던 제품으로 기존 LPDDR5X이후 SK하이닉스가 선보이는 자체 규격의 모델로 기존 LPDDR5X와 LPDDR6 사이의 갭을 매꿀 것으로 기대된다“며 “퀄컴과 미디어텍 등 AP 제조사의 호환성 검증 작업이 완료된 만큼 플래그십 스마트폰 탑재될 것으로 본다“고 말했다.

 

SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩을 결합해 16GB 용량 패키지 제품을 고객사에 공급할 예정이다. 해당 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 FHD급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

 

SK하이닉스 기술진은 제품 개발 과정에서 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 속도와 전력효율성을 높일 수 있었다고 전했다. HKMG 공정은 유전율이 높은 물질을 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 모바일 D램 분야에서는 SK하이닉스가 처음으로 도입했다.

 

지아드 아즈가(Ziad Asghar) 퀄컴 수석 부사장은 “스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 AI 기반의 대규모 언어 모델과 대규모 시각 모델을 저전력에서 지연 없이 구동할 수 있다”며 “스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 D램이 결합해 이용자들에게 놀라운 AI 경험을 선사할 것”이라고 말했다.

 

한편, 퀄컴은 지난 24일(현지시각)부터 26일까지 진행되는 '스냅드래곤 서밋'에서 2024년 플래그십 모바일 AP 스냅드래곤8 3세대를 공개했다. 


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