[더테크 이승수 기자]  SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 반도체 노광 장비인 ‘High NA EUV(극자외선 리소그래피)’를 양산용으로 도입했다. 회사는 3일 이천 M16 팹(Fab)에 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’ 장비를 반입하고 기념 행사를 개최했다고 3일 밝혔다.

이 장비는 기존 EUV 장비(NA 0.33)보다 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 적용, 회로 형성 정밀도 1.7배, 집적도 2.9배 개선을 구현할 수 있다. 현존 가장 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 만큼, 향후 극한 미세화·고집적화가 요구되는 메모리 반도체 생산의 핵심 인프라로 꼽힌다.

행사에는 SK하이닉스 차선용 부사장(CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당), ASML코리아 김병찬 사장 등이 참석했다.

SK하이닉스는 이번 장비 도입을 계기로 ▲EUV 공정 단순화 ▲차세대 메모리 개발 속도 제고 ▲제품 성능·원가 경쟁력 강화 등을 추진한다는 계획이다. 이를 통해 글로벌 AI·차세대 컴퓨팅 시장의 급성장에 대응하고 고부가가치 메모리 시장에서 기술 리더십을 공고히 하겠다는 전략이다.

반도체 미세 공정 기술은 웨이퍼당 칩 생산량을 늘리고 전력 효율과 성능을 높이는 데 직결된다.

SK하이닉스는 이미 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 적용한 데 이어, 최첨단 D램 제조 과정에 EUV 활용을 지속 확대해왔다. 그러나 미래 시장의 수요를 충족하려면 기존 EUV를 뛰어넘는 차세대 기술이 필수적이라는 판단이다.

ASML코리아 김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 기술 혁신을 앞당기겠다”고 말했다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 “이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현할 핵심 기반을 확보했다”며 “AI와 차세대 컴퓨팅이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 강조했다.