[더테크 이승수 기자] SK하이닉스가 올해 1분기 D램 시장에서 삼성전자를 제치고 1위를 처음 달성했다. 9일 카운터포인트리서치가 최근 발표한 2025년 1분기 메모리 보고서에 따르면, SK하이닉스가 매출액 기준 36%의 점유율로 처음으로 삼성전자를 제치고 전세계 D램 시장에서 매출 1위를 차지했다. SK하이닉스는 HBM 부문에서 70%의 시장 점유율을 달성하며 압도적인 성과를 보이며, 적어도 다음 분기까지는 지속적인 매출 성장과 점유율 확대가 이루어질 것으로 전망했다. 카운터포인트 최정구 책임연구원은 “이번 성과는 SK하이닉스가 HBM 메모리에 대한 수요가 끊이지 않는 시장에서 D램을 성공적으로 공급하고 있다는 점에서 중요한 이정표가 되었다”라며 “특화된 HBM D램 칩의 제조는 매우 까다로운 과정이었지만, 이를 초기부터 성공적으로 생산해온 기업들이 이제 큰 성과를 거두고 있다”고 말했다. 카운터포인트는 올해 2분기에도 D램 시장의 성장 및 업체 점유율 양상은 비슷할 것으로 전망했다. 황민성 카운터포인트 연구위원은 “전세계가 관세의 영향에 주목하고 있는 상황에서 관건은 ‘HBM D램이 과연 어떻게 될 것인가’라는 점이다.”라며 “적어도 단기적으로는 AI 수
[더테크 이승수 기자] 초고속 D램 HBM은 AI 시스템을 구현하는 메모리의 기술 한계를 돌파하게 한 주역으로지금의 AI 시대를 가능하게 해준 대표적인 AI 반도체 중 하나다. SK하이닉스는 11년 전 세계 최초로 HBM을 개발한 이후 올해 3월에는 현존 최고 성능의 5세대 HBM3E를 가장 먼저 양산해 공급하며 이 시장을 주도하고 있다. SK하이닉스 이규제 부사장은 5일 SKK하이닉스 뉴스룸을 통해 "차세대 패키징 기술로 HBM 시장에서 우위를 지켜나간다"는 계획을 밝혔다. 이어 "조직에서도 고객과 이해관계자의 니즈를 빠르게 파악해 제품 특성에 반영하고 있다"면서 "구성원들과 공유하며 SK하이닉스 패키징의 미래를 준비해 나가겠다"고 밝혔다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 개발한 1세대 HBM 제품에 TSV 기술을 적용했다. TSV는 여러 개의 D램 칩에 수천 개의 구멍을 뚫고 이를 수직 관통 전극으로 연결해 HBM의 초고속 성능을 구현해 주는 핵심 기술이다. TSV는 이미 20여 년 전부터 기존 메모리의 성능 한계를 극복해 줄 차세대 기술로 주목받았지만, 곧바로 상업화된 기술로 부상하지는 못했다. 인프라 구축의 어려움과 투자비 회수 불확실성 등 난제
[더테크=조재호 기자] 엔비디아가 차세대 인공지능(AI) 그래픽 처리장치(GPU) ‘루빈(Rubin)’을 공개했다. 지난 3월 블랙웰을 발표한 지 3개월 만에 차세대 GPU 발표한 것이다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 지난 2일 대만 최대 IT 박람회인 컴퓨텍스 2024 기조연설에 나섰다. AI의 시대가 글로벌 신산업 혁명을 어떻게 주도할 것인지를 주제로 진행된 연설에서 자사의 미래 시장 전략과 함께 차세대 제품군에 대해 언급했다. 황 CEO를 상징하는 검은 가죽자켓을 입고 등장한 CEO는 “이전에는 2년 주기였지만 향후 1년 주기로 새로운 AI 칩 모델을 출시하겠다”며 지난 3월 공개한 블랙웰 아키텍처 기반의 차세대 AI 칩 B200에 이어 루빈 R100을 공개하면서 향후 개발 계획을 소개했다. 기존에 발표했던 블랙웰은 올해에, 이를 개선한 블랙웰 울트라는 2025년, 루빈은 2026년부터 양산할 예정이라고 밝혔다. 이어 2027년엔 루빈 울트라 모델이 출시될 예정이다. 블랙웰은 현재 엔비디아의 주력 제품인 호퍼 아키텍처 H100을 잇는 신제품이다. 루빈에는 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 탑재할 것이라고 설명했다. 루빈의 구체적인 사양을 공개한
[더테크=조재호 기자] 삼성전자의 HBM이 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 납품 테스트를 통과하지 못했다는 보도가 전해졌다. 삼성전자는 이에 “테스트는 순조롭게 진행되고 있다”고 반박했다. 로이터는 24일 세 명의 소식통을 인용해 삼성전자가 최신 고대역폭 메모리인 HBM3E가 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 테스트를 통과하지 못했다고 보도했다. 로이터가 인용한 소식통들은 삼성전자가 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하기 위해 노력해왔다고 언급했다. 하지만 8단, 12단 HBM3E 칩에 대해 테스트가 실패했다는 결과를 지난 4월 통보받았다고 전했다. 앞서 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 CEO는 엔비디아의 연례 개발자 컨퍼런스인 GTC 2024에서 삼성전자의 부스를 찾아 12단 HBM3E 제품에 ‘JENSEN APPROVED(젠슨 승인)’이라는 사인을 남기며 긍정적인 메시지를 남겼지만 상반된 결과다. HBM은 메모리 반도체로 일반적으로 잘 알려진 D램을 수직으로 쌓아 올려 크기와 전력 소비를 줄이고 실리콘 관통 전극(TSV)을 뚫어 속도를 획기적으로 개선한 제품이다. 인공지능(AI)을 개발하기 위해서는 다수의 GPU(그래픽 처리
[더테크=이지영 기자] 어플라이드 머티리얼즈가 오는 12일부터 15일까지 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 열리는 ‘국제 메모리 워크숍 2024(IEEE International Memory Workshop 2024, 이하 IMW)’에서 메모리 칩의 공정 장비와 기술 발전에 대해 소개한다. IMW는 IEEE 전자소재협회가 주최하는 메모리 기술 관련 연례 국제 학회로 전세계 엔지니어와 연구자들이 모여 메모리 소자 및 공정, 설계, 패키징 기술의 최신 발전을 논의한다. 올해로 16횔르 맞이했으며 한국에서는 두 번째로 개최된다. 어플라이드는 이번 워크숍에서 △GAA S램: Vccmin 스케일링을 위한 성능 조사 및 최적화 △메모리 기능을 갖춘 3D 낸드 차량에서 Si 채널의 시연 △자가 정류 비휘발성 터널링 시냅스: 멀티스케일 모델 증강 개발 △고대역폭 메모리를 위한 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 과제 등 4건의 논문 발표를 진행한다. 아울러 ‘메모리 애플리케이션을 위한 첨단 채널 재료’의 패널 토론에도 참여한다. 어플라이드는 10년 이상 IMW를 후원해왔으며 올해 행사에는 프리미어 스폰서로 참여한다.
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 회사는 향후 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 글로벌 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 계획이다. SK하이닉스는 경기도 이천 본사에서 AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략을 주제로 한 기자간담회를 2일 진행했다. 간담회는 곽노정 사장의 오프닝 발표를 시작으로 김주선 사장의 AI 메모리 비전, 최우진 부사장의 SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진, 김영식 부사장의 청주 M15x와 용인 클러스터 투자 등 3개 발표 세션으로 진행됐다. 곽 사장은 간담회를 통해 AI 시대를 맞아 SK하이닉스의 전략을 언급하며 현재 AI가 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 것이라고 전했다. 이에 따라 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 기술 리더십을 확보할 방침이다. 현재 SK하이닉스 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃인데 내년 역시 거
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 올해 1분기 사상 최대 매출을 기록했다. HBM 등 AI 메모리 호조와 함께 eSSD 판매 확대 및 제품가 상승으로 낸드 부문도 흑자 전환에 성공했다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고 올해 1분기 매출 12조4296억원, 영업이익 2조8860억원, 순이익1조9170억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 영업이익률은 23%, 순이익률은 15%다. 이번 매출은 회사의 1분기 실적 중 최대이며 영업이익도 지난 2018년 이후 두 번째로 높은 수치를 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속된 다운턴에 벗어나 완연한 실적 반등 추세를 보이는 것으로 전망했다. 아울러 회사 관계자는 “HBM 등 AI 메모리 기술력을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량이 늘어나고 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다”며 “낸드도 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고 평균판매단가가 상승해 흑자 전환에 성공했다”고 밝혔다. SK하이닉스는 향후 AI 메모리 수요가 지속해서 늘어나고 하반기부터 일반 D램 수요도 회복하면서 메모리 시장이 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 회사는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰
[더테크=전수연 기자] SK하이닉스가 급증하는 AI 반도체 수요에 선제 대응해 AI 인프라의 핵심인 HBM 등 차세대 D램 생산능력 확장에 나선다고 24일 밝혔다. SK하이닉스는 이날 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결정했다. SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행하고 생산 기반을 확충한다는 방침이다. AI 시대가 본격화되면서 반도체 업계는 D램 시장이 중장기적인 성장 국면에 접어든 것으로 보고 있다. 연평균 60% 이상의 성장세가 예상되는 HBM과 함께 서버용 고용량 DDR5 모듈 제품을 중심으로 일반 D램 수요도 꾸준히 증가할 것으로 회사는 전망하고 있다. 이런 흐름에서 HBM은 일반 D램 제품과 동일한 생산량을 확보하기 위한 캐파가 최소 2배 이상 요구되는 만큼 D램 캐파를 늘리는 것이 선결 과제라고 판단했다. 이에 따라 SK하이닉스는 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15
[더테크=전수연 기자] SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고 퍼듀(Purdue) 대학교 등과 협업한다. SK하이닉스는 미국 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하고 이 사업에 약 5조2000억을 투자한다고 4일 밝혔다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주, 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 또한 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다. 이를 통해 SK하이닉스는 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장서고 인디애나에 건설하는 생산기지, R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여할 방침이다. AI 메모리 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해왔다. 미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중돼 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다. 다양한 후보지를 검토한 끝에 SK하이닉스
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 주주총회를 진행했다. AI 본격 적용으로 새로운 경험을 제공하면서 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 비전을 발표했다. 삼성전자는 20일 경기도 수원컨벤션센터에서 55회 정기 주주총회를 진행했다. 이 자리에서 주요 사업 분야인 한종회 DX부문장(부회장)과 경계현 DS부문장(사장)의 경영전략에 대해 주주들에게 설명했다. 우선 DX 부문에서 삼성은 AI를 통해 개인화된 디바이스 인텔리전스를 추진한다. 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침이다. 세부적으로 △스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 갤럭시 전제품에 AI 적용 확대 △ 차세대 스크린 경험을 위해 AI 기반 화질·음질 고도화, 개인화된 콘텐츠 추천 △올인원 세탁·건조기 비스포크 AI 콤보를 통해 지능형 홈가전 업그레이드할 계획이다. 이외에도 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장, 로봇, 디지털 헬스 등 신사업을 적극 추진할 계획이다. DS 부문에서는 올해 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억달러를 기록할 것으로 삼성전자의 매출도 2022년 수준으로 회복할 전망이라고 밝혔다. 이에
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 업계 최초로 36GB 용량의 5세대 HBM3E D램 개발에 성공하고 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 27일 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 5세대 HBM으로 24Gb(기가 비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극 (Through-Silicon Via, TSV) 기술로 12단까지 적층한 제품이다. 이번에 개발된 HBM3E 12H은 고객사에 샘플 제공을 시작했으며 상반기 중 양산할 예정이다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM인 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 1초에 30GB 용향의 UHD 영화 40편을 이동할 수 있는 속도를 지녔다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술을 활용해 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구혀해 HBM 패키지 규격을 만족했다. 해당 기술은 칩 두께가 얇아지면서 발생하는 휘어짐을 최소화하면서 적층 수를 늘릴 수 있어서 보다 많은 칩을
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 지난해 4분기 34660억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 2022년 4분기부터 이어온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고 지난해 4분기 매출 11조3055억원, 영업이익 3460억원, 순손실 1조3795억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 영업이익율을 3%, 순손실률은 12%다. 이번 실적에 대해 SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고 평균판매단가(ASP)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심의 경영활동이 효과를 내면서 1년 만에 분기 영업흑자를 기록했다”고 설명했다. 회사는 지난해 분기까지 이어진 누적 영업적자를 줄여 2023년 연간 실적은 매출 32조7657억원, 영업손실 7조7303억원, 순손실 9조1375억원을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램 부문에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 증가했다고 밝혔다. 다만, 상대적으로 업황 반등이 늦어진 낸드에
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UPDATE: 2025년 06월 17일 10시 32분
