[더테크=조재호 기자] 삼성전자의 HBM이 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 납품 테스트를 통과하지 못했다는 보도가 전해졌다. 삼성전자는 이에 “테스트는 순조롭게 진행되고 있다”고 반박했다. 로이터는 24일 세 명의 소식통을 인용해 삼성전자가 최신 고대역폭 메모리인 HBM3E가 발열과 전력 소비 문제로 엔비디아의 테스트를 통과하지 못했다고 보도했다. 로이터가 인용한 소식통들은 삼성전자가 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하기 위해 노력해왔다고 언급했다. 하지만 8단, 12단 HBM3E 칩에 대해 테스트가 실패했다는 결과를 지난 4월 통보받았다고 전했다. 앞서 지난 3월 젠슨 황 엔비디아 CEO는 엔비디아의 연례 개발자 컨퍼런스인 GTC 2024에서 삼성전자의 부스를 찾아 12단 HBM3E 제품에 ‘JENSEN APPROVED(젠슨 승인)’이라는 사인을 남기며 긍정적인 메시지를 남겼지만 상반된 결과다. HBM은 메모리 반도체로 일반적으로 잘 알려진 D램을 수직으로 쌓아 올려 크기와 전력 소비를 줄이고 실리콘 관통 전극(TSV)을 뚫어 속도를 획기적으로 개선한 제품이다. 인공지능(AI)을 개발하기 위해서는 다수의 GPU(그래픽 처리
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 5세대 HBM 메모리 고객 납품을 시작하며 인공지능(AI) 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 한다. SK하이닉스는 19일 AI 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만의 성과다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 이번에 SK하이닉스가 양산한 HBM3E는 5세대로 분류된다. HBM3E에서 E는 확장(Extended) 버전을 말한다. SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 최고 성능의 D램인 HBM3E도 가장 먼저 고객사에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고의 성능을 갖췄다는 것이 회사의 설명이다. 이번 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 업계 최초로 36GB 용량의 5세대 HBM3E D램 개발에 성공하고 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 27일 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 5세대 HBM으로 24Gb(기가 비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극 (Through-Silicon Via, TSV) 기술로 12단까지 적층한 제품이다. 이번에 개발된 HBM3E 12H은 고객사에 샘플 제공을 시작했으며 상반기 중 양산할 예정이다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM인 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 1초에 30GB 용향의 UHD 영화 40편을 이동할 수 있는 속도를 지녔다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술을 활용해 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구혀해 HBM 패키지 규격을 만족했다. 해당 기술은 칩 두께가 얇아지면서 발생하는 휘어짐을 최소화하면서 적층 수를 늘릴 수 있어서 보다 많은 칩을
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