[더테크 서명수 기자]  SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 선점을 위해 고성능 HBM(고대역폭메모리) 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 차세대 AI 인프라 경쟁에 본격 나섰다.

SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 밝혔다. 회사는 HBM 선행 개발 역량과 양산 노하우를 바탕으로 제품 개발을 완료했으며, 고객사들과의 협력을 통해 적기 양산을 추진할 계획이다.

HBM4E는 기존 HBM4보다 성능과 전력 효율을 한층 높인 제품이다. 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며, 에너지 효율도 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 대규모 데이터 처리 성능을 강화해 차세대 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장을 겨냥했다.

특히 최신 인터페이스 기술과 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을 최소화하고, 초고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이를 통해 AI 서버와 대규모 연산 시스템의 처리 효율을 더욱 높일 수 있을 것으로 기대된다.

열 관리와 구조 안정성도 강화했다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF(Advanced Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. MR-MUF는 적층된 반도체 칩 사이에 보호재를 주입해 회로를 보호하는 기술로, 고집적 메모리의 안정성과 수율 향상에 중요한 역할을 한다.

회사는 해당 공정을 통해 열 저항을 기존 HBM4 대비 약 17% 낮추는 데 성공했다. 이에 따라 고성능 AI 연산 환경에서도 발열을 효과적으로 제어하며 안정적인 성능을 유지할 수 있게 됐다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E까지 차세대 HBM 제품군을 지속 확대하며 AI 메모리 시장 주도권을 강화하고 있다. 특히 엔비디아를 비롯한 글로벌 AI 반도체 기업들의 고성능 메모리 수요가 급증하는 가운데, 업계 최고 수준의 기술력과 양산 경쟁력을 앞세워 시장 우위를 이어간다는 전략이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 축적해온 업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에도 적용해 AI 혁신을 지속적으로 이끌 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너사들과의 긴밀한 협력을 통해 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 제공하고, 풀스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.