[더테크 서명수 기자]  삼성전자가 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 높이고 있다. 업계 최초로 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 차세대 AI 반도체 시장 주도권 확보에 나섰다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최고 수준 성능을 구현한 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어, 수개월 만에 HBM4E 샘플 공급까지 확대하며 AI 메모리 경쟁력을 강화했다고 밝혔다.

HBM4E는 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 연산 환경에 최적화된 제품이다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원해 기존 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 초거대 AI 연산 처리 성능을 끌어올렸다.

용량 역시 크게 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 고용량을 구현했으며, 이는 전작 대비 30% 이상 증가한 수준이다. 삼성전자는 향후 고객 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

이번 제품은 삼성전자의 메모리·파운드리·패키징 기술 역량이 집약된 것이 특징이다. 최선단 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 자체 4나노 로직 다이를 적용해 초미세 공정 안정성과 양산 수율을 동시에 확보했다. 업계에서는 메모리와 파운드리를 모두 보유한 삼성전자의 수직계열화 경쟁력이 HBM 시장에서 차별화 요소로 작용하고 있다는 평가가 나온다.

전력 효율과 발열 제어 성능도 개선됐다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 향상시켰다고 설명했다. AI 데이터센터의 핵심 과제로 떠오른 전력 소비와 발열 문제 해결에도 기여할 것으로 기대된다.

삼성전자는 이번 샘플 공급 이후 고객 일정에 맞춰 양산 공급을 추진할 예정이다. 특히 메모리, 파운드리, 시스템엘에스아이(System LSI), 첨단 패키징까지 아우르는 ‘원스톱 턴키 솔루션’을 기반으로 안정적인 공급 체계를 구축한다는 전략이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 진행하며 기술 리더십을 다시 한번 입증했다”며 “선제적인 생산 인프라 투자와 초격차 기술력을 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도할 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4 공급도 확대하고 있다. 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 시스템인패키지(SiP) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 기록하며 업계 최고 수준 평가를 받은 바 있다. 업계에서는 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼, HBM4E 역시 빠른 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있다.