[더테크 뉴스] SK하이닉스는 12일 10nm의 4세대인 1anm 기반 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 DRAM의 양산을 이달에 시작했다고 발표했다.

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

SK하이닉스에 따르면 반도체 업계에서 10나노 D램 제품을 알파벳 순서대로 분류함에 따라 1a 기술은 1x, 1y, 1z의 3세대에 이은 4세대다. SK하이닉스는 2021년 하반기부터 스마트폰 제조사에 최신 모바일 D램 제품을 공급할 계획이다.

반도체 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에서 미세한 패터닝을 얼마나 정확히 그리느냐는 제품 성능의 핵심이 되고 있다. 기존 장비인 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)에 비해 EUV는 10배 이상 더 미세한 패터닝을 가능하게 해준다는 점에서 선도 기술로 평가받는다.
 

초미세 수준의 기술 마이그레이션이 계속되면서 웨이퍼 표면에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 채택하는 반도체 업체가 늘어나고 있다. 

업계 전문가들은 반도체 회사의 기술 리더십이 어떻게 EUV 장비를 최대한 활용할 수 있는지에 달려 있다고 믿습니다. SK하이닉스는 공정의 안정성을 입증한 EUV 기술을 향후 1anm DRAM 전 제품에 적용할 계획이다.

SK하이닉스는 이 신기술을 통해 생산성을 높이고 원가 경쟁력을 더욱 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 회사는 1anm 기술이 이전 1znm 노드에 비해 동일한 크기의 웨이퍼에서 생산되는 DRAM 칩의 수를 25% 증가시킬 것으로 기대하고 있다. 

조영만 SK하이닉스 상무는 “최신 1anm DRAM은 생산성 향상과 원가경쟁력 향상으로 높은 수익성 확보는 물론 EUV 노광기술 조기 도입으로 선도기술기업으로서의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.